[发明专利]多间隙半穿透反射液晶显示器及其制造方法有效
| 申请号： | 200710148793.1 | 申请日： | 2007-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101118336A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 林永伦;董修琦 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333;G03F7/00;H01L21/027;G02F1/1335;G02F1/13363 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多间隙半穿透反射液晶显示器及其制造方法，该制造方法包括：提供一基板，该基板具有一反射区与一穿透区；形成一栅极于该反射区上；形成一栅极介电层于该栅极与该基板上；形成一硅岛于该栅极上方的该栅极介电层上，该硅岛具有一沟道区及其两侧的一源极区与一漏极区；对该源极区与该漏极区进行离子掺杂；形成一源极金属与一漏极金属于该源极区与该漏极区之上；形成一保护层于该基板上；形成一像素开口于该保护层中以暴露出该漏极金属；形成一透明电极于该穿透区上，并通过该像素开口与该漏极金属电性相接；形成一有机平坦层于该反射区上；以及形成一反射电极于该有机平坦层上，并与该透明电极电性相接。 | ||
| 搜索关键词： | 间隙 穿透 反射 液晶显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多间隙半穿透反射液晶显示器的像素结构的制造方法，该制造方法包括：提供一基板，该基板具有一反射区与一穿透区；形成一硅岛于该反射区上，该硅岛具有一沟道区与两侧的一源极区与一漏极区；对该源极区与该漏极区进行离子掺杂；形成一栅极介电层于该基板上；形成一栅极于该沟道区正上方的栅极介电层上；形成一介电层于该栅极与该栅极介电层之上；形成一源极开口与一漏极开口于该介电层与该栅极介电层之中，以分别暴露出该源极区与该漏极区；形成一源极金属与一漏极金属分别于该源极开口与该漏极开口中及其周围的该介电层上；形成一透明电极于该穿透区上并与该漏极金属电性相接；形成一有机平坦层于该反射区上；以及形成一反射电极于该反射区上并与该透明电极电性相接。
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