[发明专利]多间隙半穿透反射液晶显示器及其制造方法有效
申请号: | 200710148793.1 | 申请日: | 2007-09-11 |
公开(公告)号: | CN101118336A | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
发明(设计)人: | 林永伦;董修琦 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G03F7/00;H01L21/027;G02F1/1335;G02F1/13363 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 间隙 穿透 反射 液晶显示器 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器及其制造方法,且特别涉及一种半穿透反射式的液晶显示器及其制造方法。
背景技术
公知的半穿透反射液晶显示器为了解决显示画面色散(chromaticdispersion)的问题,其中一个解决方法为利用在液晶显示器上基板之一来制造一些厚度不等突块来形成多晶胞间隙的液晶显示器,以应对三原色光波长不同而造成的色散问题。另外一个解决方法为在液晶显示器上下基板的外侧各贴附两层补偿膜(1/4波长与1/2波长)。然而,不是工艺太复杂,就是会减少液晶显示器的亮度。
发明内容
因此本发明的目的之一就是提供一种多间隙液晶显示面板的制造方法。
本发明提供一种多间隙半穿透反射液晶显示器的像素结构的制造方法,提供具有第一像素区、第二像素区与第三像素区的第一基板。在基板上依序形成第一介电层与第二介电层。然后移除位于第二像素区与第三像素区上的第二介电层,再移除位于第三像素区上的第一介电层。接着,于第一基板上组立第二基板,使第一基板与第二基板之间,于第一像素区、第二像素区与第三像素区上分别形成一第一间隙、一第二间隙与一第三间隙。填入液晶层于第一基板与第二基板之间。
本发明又提供一种多间隙半穿透反射液晶显示器的像素结构的制造方法,提供具有第一像素区、第二像素区与第三像素区的第一基板。在基板上形成可感光的有机层。对有机层进行曝光的步骤,其中位于第一像素区、第二像素区与第三像素区的曝光深度分别为第一深度、第二深度与第三深度。对有机层进行显影的步骤,去除已经曝光的有机层。接着,于第一基板上组立第二基板,使第一基板与第二基板之间,于第一像素区、第二像素区与第三像素区上分别形成一第一间隙、一第二间隙与一第三间隙。填入液晶层于第一基板与第二基板之间。
本发明又提供一种多间隙半穿透反射液晶显示器的像素结构的制造方法,该制造方法包括:提供一基板,该基板具有一反射区与一穿透区;形成一硅岛于该反射区上,该硅岛具有一沟道区与两侧的一源极区与一漏极区;对该源极区与该漏极区进行离子掺杂;形成一栅极介电层于该基板上;形成一栅极于该沟道区正上方的栅极介电层上;形成一介电层于该栅极与该栅极介电层之上;形成一源极开口与一漏极开口于该介电层与该栅极介电层之中,以分别暴露出该源极区与该漏极区;形成一源极金属与一漏极金属分别于该源极开口与该漏极开口之中及其周围的该介电层上;形成一透明电极于该穿透区上并与该漏极金属电性相接;形成一有机平坦层于该反射区上;以及形成一反射电极于该反射区上并与该透明电极电性相接。
本发明又提供一种半穿透反射液晶显示器的像素结构的制造方法,该制造方法包括:提供一基板,该基板具有一反射区与一穿透区;形成一硅岛于该反射区上,该硅岛具有一沟道区及其两侧的一源极区与一漏极区;对该源极区与该漏极区进行离子掺杂;形成一栅极介电层于该基板上;形成一栅极于该沟道区正上方的栅极介电层上;形成一介电层于该栅极与该栅极介电层之上;形成一源极开口与一漏极开口于该介电层与该栅极介电层之中,以分别暴露出该源极区与该漏极区;形成一源极金属与一漏极金属分别于该源极开口与该漏极开口之中及其周围的该介电层上;形成一保护层于该源极金属、该漏极金属与该介电层之上;形成一第一像素开口于该保护层之中,以暴露出该漏极金属;形成可感光的一有机平坦层于该基板上;以灰阶光刻法图案化该有机平坦层,形成一第二像素开口于该有机平坦层之中,以暴露出该第一像素开口及其下的该漏极金属,并留下不同残余厚度的该有机平坦层于不同颜色像素的该穿透区之上,以减少光色散的现象;形成一反射电极于该反射区上并通过该第一与该第二像素开口与该漏极金属电性相接;以及形成一透明电极于该穿透区之上,并与该反射电极电性相接。
本发明又提供一种多间隙半穿透反射液晶显示器的像素结构的制造方法,该制造方法包括:提供一基板,该基板具有一反射区与一穿透区;形成一栅极于该反射区上;形成一栅极介电层于该栅极与该基板上;形成一硅岛于该栅极上方的该栅极介电层上,该硅岛具有一沟道区及其两侧的一源极区与一漏极区;对该源极区与该漏极区进行离子掺杂;形成一源极金属与一漏极金属于该源极区与该漏极区之上;形成一保护层于该基板上;形成一像素开口于该保护层中以暴露出该漏极金属;形成一透明电极于该穿透区上,并通过该像素开口与该漏极金属电性相接;形成一有机平坦层于该反射区上;以及形成一反射电极于该有机平坦层之上,并与该透明电极电性相接。
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