[发明专利]多间隙半穿透反射液晶显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种半穿透反射液晶显示器的像素结构的制造方法，该制造方法包括：

提供一基板，该基板具有一反射区与一穿透区；

形成一硅岛于该反射区上，该硅岛具有一沟道区及其两侧的一源极区与一漏极区；

对该源极区与该漏极区进行离子掺杂；

形成一栅极介电层于该基板上；

形成一栅极于该沟道区正上方的栅极介电层上；

形成一介电层于该栅极与该栅极介电层之上；

形成一源极开口与一漏极开口于该介电层与该栅极介电层之中，以分别暴露出该源极区与该漏极区；

形成一源极金属与一漏极金属分别于该源极开口与该漏极开口中及其周围的该介电层上；

形成一保护层于该源极金属、该漏极金属与该介电层上；

形成一第一像素开口于该保护层中，以暴露出该漏极金属；

形成可感光的一有机平坦层于该基板上；

以灰阶光刻法图案化该有机平坦层，形成一第二像素开口于该有机平坦层中，以暴露出该第一像素开口及其下的该漏极金属，并留下不同残余厚度的该有机平坦层于不同颜色像素的该穿透区上，以减少光色散的现象；

形成一反射电极于该反射区上并通过该第一与该第二像素开口与该漏极金属电性相接；以及

形成一透明电极于该穿透区上，并与该反射电极电性相接。

2.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，形成该第一像素开口的同时，还包括去除位于该穿透区上的该保护层。

3.如权利要求2所述的像素结构的制造方法，其特征是于形成该源极开口以及该漏极开口的同时，还包括去除位于该穿透区上的该介电层与该栅极介电层。

4.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征是该介电层为氧化硅层、氮化硅层或其组合。