[发明专利]一种具有部分刷新功能的半导体存储器设备有效
申请号: | 200710147995.4 | 申请日: | 2007-08-30 |
公开(公告)号: | CN101154439A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 富田浩由 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵淑萍 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种具有部分刷新功能的半导体存储器设备,包括定时信号电路,其产生刷新定时信号,该刷新定时信号包括脉冲序列;刷新地址电路,其与刷新定时信号的每个脉冲相同步地产生刷新地址;脉冲选择电路,其与从脉冲序列中选择的脉冲相同步地断言刷新请求信号;以及存储器核心,其接收刷新地址以及刷新请求信号,并且响应于刷新请求信号的断言,针对刷新地址执行刷新操作,其中,进行设置,以便在第一操作模式与第二操作模式之间切换,在第一操作模式中,通过从脉冲序列的每预定数目的脉冲中选择一个脉冲来获得所选择的脉冲,在第二操作模式中,通过从脉冲序列中选择相继的脉冲来获得所选择的脉冲。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 部分 刷新 功能 半导体 存储器 设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器设备,其特征在于包括:定时信号产生电路,被配置为产生刷新定时信号,所述刷新定时信号包括以恒定间隔排列的脉冲序列;刷新地址产生电路,被配置为与所述刷新定时信号的每个脉冲相同步地产生刷新地址;脉冲选择电路,被配置为与从所述刷新定时信号的脉冲序列中选择的脉冲相同步地断言刷新请求信号;以及存储器核心电路,被配置为接收所述刷新地址和所述刷新请求信号,并且响应所述刷新请求信号的断言,针对所述刷新地址执行刷新操作,其中,设置被作出以在第一操作模式与第二操作模式之间切换,在所述第一操作模式中,所述选择的脉冲是通过从所述脉冲序列的每预定数目的脉冲中选出一个脉冲而获得的,在所述第二操作模式中,所述选择的脉冲是通过从所述脉冲序列中选择相继的脉冲而获得的。
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