[发明专利]一种具有部分刷新功能的半导体存储器设备

权利要求书

1.一种半导体存储器设备，其特征在于包括：

定时信号产生电路，被配置为产生刷新定时信号，所述刷新定时信号包括以恒定间隔排列的脉冲序列；

刷新地址产生电路，被配置为与所述刷新定时信号的每个脉冲相同步地产生刷新地址；

脉冲选择电路，被配置为与从所述刷新定时信号的脉冲序列中选择的脉冲相同步地断言刷新请求信号；以及

存储器核心电路，被配置为接收所述刷新地址和所述刷新请求信号，并且响应所述刷新请求信号的断言，针对所述刷新地址执行刷新操作，

其中，设置被作出以在第一操作模式与第二操作模式之间切换，在所述第一操作模式中，所述选择的脉冲是通过从所述脉冲序列的每预定数目的脉冲中选出一个脉冲而获得的，在所述第二操作模式中，所述选择的脉冲是通过从所述脉冲序列中选择相继的脉冲而获得的。

2.如权利要求1所述的半导体存储器设备，还包括模式寄存器电路，所述模式寄存器电路被配置为产生响应于寄存器设置的刷新模式信号，其中所述第一操作模式与所述第二操作模式中的一种是响应于所述刷新模式信号而选择的。

3.如权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，所述脉冲选择电路被配置为接收所述刷新定时信号和所述刷新地址，选择响应于所述刷新地址而从所述刷新定时信号的脉冲序列中选出的脉冲，并且在所述选择的脉冲的定时处，断言所述刷新请求信号。

4.如权利要求3所述的半导体存储器设备，其中，所述脉冲选择电路被配置为从组成所述刷新地址的多个位中选择预定数目的高位，并且选择响应于所述高位而从所述刷新定时信号的脉冲序列中选出的脉冲。

5.如权利要求4所述的半导体存储器设备，其中，所述脉冲选择电路被配置为选择在所述高位变为预定的位模式的定时处的所述刷新定时信号的脉冲作为所述选择的脉冲。

6.如权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，所述刷新地址产生电路被配置为按照所述第一操作模式中的第一地址前进模式，产生所述刷新地址，以及按照所述第二操作模式内的第二地址前进模式，产生所述刷新地址。

7.如权利要求6所述的半导体存储器设备，其中，所述存储器核心电路包括多个块，每个块包括多个字线，并且其中，由所述刷新地址产生电路在所述第一地址前进模式中相继产生的两个刷新地址对应于两个不同的块，并且，由所述刷新地址产生电路在所述第二地址前进模式中相继产生的两个刷新地址对应于两个相邻的字线。

8.如权利要求6所述的半导体存储器设备，其中，所述刷新地址产生电路包括：

与所述刷新地址的高位相对应的第一计数器；以及

与所述刷新地址的低位相对应的第二计数器，

其中，所述刷新地址产生电路被配置为使得所述第一计数器和所述第二计数器中的一个计数器与所述刷新定时信号的每个脉冲相同步地执行计数操作。

9.一种存储器系统，其特征在于包括：

存储器；

电源电压探测电路，被配置为探测所述存储器的电源电压的电压电平；

控制器，被配置为响应由所述电源电压探测电路探测出的所述电压电平，控制所述存储器，

其中，所述存储器包括：

定时信号产生电路，被配置为产生刷新定时信号，所述刷新定时信号包括以恒定间隔排列的脉冲序列；

刷新地址产生电路，被配置为与所述刷新定时信号的每个脉冲相同步地产生刷新地址；

脉冲选择电路，被配置为与从所述刷新定时信号的脉冲序列中选择的脉冲相同步地断言刷新请求信号；以及

存储器核心电路，被配置为接收所述刷新地址和所述刷新请求信号，并且响应于所述刷新请求信号的断言，针对所述刷新地址执行刷新操作，

其中，设置被作出以在第一操作模式与第二操作模式之间切换，在所述第一操作模式中，所述选择的脉冲是通过从所述脉冲序列的每预定数目的脉冲中选择一个脉冲而获得的，在所述第二操作模式中，所述选择的脉冲是通过从所述脉冲序列中选择相继的脉冲而获得的，并且，所述存储器控制器被配置为响应于所述探测出的电压电平，选择所述第一操作模式和所述第二操作模式中的一种，并且使所述存储器工作在所述选择的操作模式中。

10.如权利要求9所述的存储器系统，其中，所述控制器被配置为响应所述探测出的电压电平高于预定电压电平，选择所述第二操作模式，以及，响应于所述探测出的电压电平低于所述预定电压电平，选择所述第一操作模式。