[发明专利]采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场效应晶体管结构有效
| 申请号： | 200710147440.X | 申请日： | 2007-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101388407A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 弗兰克斯·赫尔伯特 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明披露一种采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场效应晶体管(MOSFET)结构，它包括的槽沟门极被源极区围绕，并被漏极区下面的体区包围，该源极设置在基底底面上。该MOSFET还包括一个屏蔽的门极槽沟(SGT)结构，设置在槽沟门极下面并与之绝缘。该SGT结构实际上形成一个圆孔，其横向张开的程度超过了槽沟门极并被介电的衬垫层覆盖，其中充入槽沟门极材料。该圆孔在槽沟门极底部用各向同性蚀刻来形成，并用氧化物绝缘层与槽沟门极绝缘。该圆孔横向张开程度超过了槽沟壁，起了垂直排列路标的作用，来控制槽沟门极的深度。该MOSFET的门极到漏极的电容(Cgd)被减小，取决于槽沟门极的可控深度。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 掺杂 基底 传导 沟槽 接地 场效应 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场效应晶体管结构，包括在半导体基底的底部设置的源极和其顶部设置的漏极，其特征在于，还包括：在所述源极和所述漏极之间的垂直电流传导沟道，它由垂直侧壁门极控制，后者设置在槽沟的各侧壁并且被附着在所述槽沟的所述侧壁上的门极氧化物层所衬垫；源-体短路结构，它从所述基底上的用于电学短路体区的所述槽沟的底面，向下延伸到设置在所述槽沟底下的源极。
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