[发明专利]采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场效应晶体管结构

权利要求书

1.一种采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场效应晶体管结构， 包括在半导体基底的底部设置的源极和在半导体基体的顶部设置的漏极， 其特征在于，还包括：

在所述源极和所述漏极之间的垂直电流传导沟道，它由垂直侧壁栅极控 制，所述栅极设置在槽沟的各侧壁并且被附着在所述槽沟的所述侧壁上的 栅极氧化物层所衬垫；

设置在所述基底中的掺杂了的体区，它围绕着所述槽沟的较低部分并包围 了源极区，从而沿着所述槽沟的各侧壁形成了沟道区；

源-体短路结构，它从所述基底上的用于电学短路体区的所述槽沟的底面， 向下延伸到设置在所述槽沟底下的源极区；

设置在所述基底的顶面附近的漂移区，它围绕着所述槽沟的较上部分；

设置在所述漂移区下面的联结区，它向下延伸到掺杂了的沟道区，以联结 所述漂移区和所述沟道区。

2.如权利要求1所述的采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场 效应晶体管结构，其特征在于，所述源-体短路结构还包括一个传导芯杆， 它从所述槽沟的底部向下延伸到所述源极区。

3.如权利要求1所述的采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场 效应晶体管结构，其特征在于，所述源-体短路结构还包括一个硅化钛芯 杆，它从所述槽沟的底部向下延伸到所述源极区。

4.如权利要求1所述的采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场 效应晶体管结构，其特征在于，所述源-体短路结构还包括一个硅化钴芯 杆，它从所述槽沟的底部向下延伸到所述源极区。

5.如权利要求1所述的采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场 效应晶体管结构，其特征在于，所述源-体短路结构还包括一个钨芯杆， 它从所述槽沟的底部向下延伸到所述源极区。

6.如权利要求1所述的采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场 效应晶体管结构，其特征在于，所述槽沟还包括设置在所述各侧壁的较上 部的厚衬垫氧化物层，用来使得所述垂直侧壁栅极跟所述漏极绝缘，以进 一步减小门-漏耦合电容。

7.如权利要求1所述的采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场 效应晶体管结构，其特征在于，还包括：

从所述源极区的底部延伸到P+基底的P+掺杂区。

8.如权利要求7所述的采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场 效应晶体管结构，其特征在于，所述漏极还包括设置在所述基底的所述 顶部的N+掺杂区。

9.如权利要求7所述的采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场 效应晶体管结构，其特征在于，所述沟道区包括设置在所述基底内的P 掺杂区，它围绕着所述槽沟的底部并延伸到所述源极。

10.如权利要求7所述的采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的 场效应晶体管结构，其特征在于，所述基底的所述底部还包括P+掺杂的 接触增进带，用来增进所述源-体短路结构跟所述源极区之间的电接触。

11.如权利要求1所述的采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的 场效应晶体管结构，其特征在于，还包括：

终止区，它包括槽沟中的栅极流道，所述的栅极流道电连接到所述垂直 侧壁栅极，以电连接到设置在所述终止区内的栅极金属。

12.如权利要求1所述的采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的 场效应晶体管结构，其特征在于，包括一个金属氧化物半导体场效应晶 体管MOSFET器件。

13.如权利要求1所述的采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的 场效应晶体管结构，其特征在于，所述源极和所述漏极被所述槽沟栅极 完全围绕，以实现自终止配置。

14.如权利要求1所述的采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的 场效应晶体管结构，其特征在于，包括一个N沟道金属氧化物半导体场 效应晶体管MOSFET器件，以及所述半导体基底是P型基底。