[发明专利]半导体存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710142417.1 | 申请日： | 2007-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101132051A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 早川努 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 孙纪泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体存储器件包括加热电极、相变部分和上电极。相变部分在第一方向上与加热电极相连。上电极具有上表面、下表面和孔。孔在上表面和下表面之间沿第一方向穿透该上电极。孔具有内壁，其在垂直于第一方向的第二方向上与相变部分相连。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：加热电极；在第一方向上与加热电极相连的相变部分；和具有上表面、下表面和孔的上电极，所述孔在上表面和下表面之间沿第一方向穿透该上电极，所述孔具有内壁，所述内壁在垂直于第一方向的第二方向上与相变部分相连。
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