[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种可以抑制在衬底、基底保护膜、以及结晶硅膜中产生裂缝的结晶硅膜的制造方法、以及半导体装置的制造方法。在热膨胀率为大于6×10^－7/℃且38×10^－7/℃以下，优选为大于6×10^－7/℃且31.8×10^－7/℃以下的衬底上形成含有半导体膜的层，加热该层。接着，对被加热了的层照射激光束，使半导体膜结晶化，来形成结晶半导体膜。形成于衬底上的含有半导体膜的层在上述加热后，含有半导体膜的层的总应力为－500N/m以上且+50N/m以下，优选成为－150N/m以上且0N/m以下。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：在玻璃衬底上形成含有半导体膜的层；加热所述含有半导体膜的层；以及对所述被加热了的含有半导体膜的层照射激光束，其中，所述玻璃衬底的热膨胀率为6×10-7/℃至38×10-7/℃，其中，在所述加热工序之后且所述照射工序之前，所述含有半导体膜的层的总应力为-500N/m至+50N/m。