[发明专利]液晶显示器的像素结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种液晶显示器的像素结构及其制造方法，在此像素结构中，由金属层/介电层/重掺杂硅层构成储存电容器的下电极/电容介电层/上电极，以增加其电容量。同时，在薄膜晶体管的底部形成金属遮光层以减少光漏电流的发生。采用本发明，在储存电容器的部分，其下电极是由金属所构成，其上电极由重掺杂的硅层所构成。因此，与由非掺杂硅层、栅介电层与金属层所构成的现有技术的储存电容器相较下，可大幅增加储存电容器的电容量。此外，薄膜晶体管的下方也多一层金属遮光层，以阻断光漏电流的产生。

主权项

1.一种像素结构的制造方法，适用于一液晶显示器，其特征在于，该制造方法包括：依序形成一第一金属层、一第一介电层与一硅层于一基板上；图案化该第一金属层、该第一介电层与该硅层，分别在该基板的一主动区与一电容区上形成一主动堆栈与一电容堆栈，以及形成与该电容堆栈连接的一电容线；依序形成一栅介电层与一第二金属层于该基板、该主动堆栈、该电容堆栈与该电容线之上；图案化该第二金属层，以在该主动堆栈上方形成至少一栅极，以及与该栅极相连的一扫描线；以该栅极与该扫描线为掺杂掩膜，对该主动堆栈、该电容堆栈与该电容线的该硅层进行一重掺杂工艺以形成多个重掺杂区，其中该主动堆栈的该硅层两端的该二重掺杂区分别为一源极区与一漏极区，而该电容堆栈的该第一金属层与该重掺杂区分别为构成一储存电容器的一第一电极与一第二电极；形成一第二介电层于该栅介电层、该栅极与该扫描线之上；图案化该第二介电层，以形成一第一开口、一第二开口与一第三开口分别暴露出该源极区、该漏极区与该第二电极；形成一第三金属层覆盖于该第二介电层之上以及该第一开口、该第二开口与该第三开口中；图案化该第三金属层，形成一数据线、电性连接该数据线与该源极区的一第一导线以及电性连接该漏极区与该第二电极的一第二导线；形成一平坦层于该第二介电层、该数据线、该第一导线与该第二导线之上；图案化该平坦层，形成一第四开口以暴露出该第二导线；形成一透明导电层于该平坦层之上与该第四开口之中；以及图案化该透明导电层，形成与该第二导线电性相接的一像素电极。