[发明专利]液晶显示器的像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种像素结构的制造方法，适用于一液晶显示器，其特征在于，该制造方法包括：

依序形成一第一金属层、一第一介电层与一硅层于一基板上；

图案化该第一金属层、该第一介电层与该硅层，分别在该基板的一主动区与一电容区上形成一主动堆栈与一电容堆栈，以及形成与该电容堆栈连接的一电容线；

依序形成一栅介电层与一第二金属层于该基板、该主动堆栈、该电容堆栈与该电容线之上；

图案化该第二金属层，以在该主动堆栈上方形成至少一栅极，以及与该栅极相连的一扫描线；

以该栅极与该扫描线为掺杂掩膜，对该主动堆栈的该硅层、该电容堆栈的该硅层与该电容线的该硅层进行一重掺杂工艺以形成多个重掺杂区，其中该主动堆栈的该硅层两端的两个重掺杂区分别为一源极区与一漏极区，而该电容堆栈的该第一金属层与该电容堆栈的重掺杂区分别为构成一储存电容器的一第一电极与一第二电极；

形成一第二介电层于该栅介电层、该栅极与该扫描线之上；

图案化该第二介电层，以形成一第一开口、一第二开口与一第三开口分别暴露出该源极区、该漏极区与该第二电极；

形成一第三金属层覆盖于该第二介电层之上以及该第一开口、该第二开口与该第三开口中；

图案化该第三金属层，形成一数据线、电性连接该数据线与该源极区的一第一导线以及电性连接该漏极区与该第二电极的一第二导线；

形成一平坦层于该第二介电层、该数据线、该第一导线与该第二导线之上；

图案化该平坦层，形成一第五开口以暴露出该第二导线；

形成一透明导电层于该平坦层之上与该第五开口之中；以及

图案化该透明导电层，形成与该第二导线电性相接的一像素电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行该重掺杂工艺与形成该第二介电层的步骤之间还包括：

等向性蚀刻该栅极，以缩减该栅极的尺寸；以及

以蚀刻后的该栅极为掺杂掩膜，对该主动堆栈的该硅层进行一淡掺杂工艺，以在该源极区与该漏极区的内侧分别形成一淡掺杂区。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在该电容线的末端形成一第一端子，该第一端子的形成方法包括：

在图案化该第一金属层、该第一介电层与该硅层的步骤中，形成连接该电容线末端的一端子堆栈；

在图案化该第二介电层的步骤中，形成一第四开口于该第二介电层中暴露出该端子堆栈的该硅层；

在图案化该第三金属层的步骤中，除去该端子堆栈上的该第三金属层与该硅层；

在图案化该平坦层的步骤中，除去该端子堆栈上的该平坦层与该第一介电层以暴露出该第一金属层，该端子堆栈的该第一金属层构成该第一端子；以及

在图案化该透明导电层的步骤中，形成一保护层于暴露出的该第一端子之上。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，图案化该第二金属层的步骤中还包括形成一第二端子，电性连接于该扫描线的末端。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该图案化该第三金属层的步骤中还包括形成一第三端子，电性连接于该数据线的末端。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，部分的该扫描线位于该主动堆栈上方的该栅介电层上。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该硅层的材料包括多晶硅或非晶硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一介电层与该第二介电层的材料包括氧化硅。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该栅介电层的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该透明导电层的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌。