[发明专利]通过添加碳降低氮化硅蚀刻速率的方法有效
| 申请号： | 200710126049.1 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101097853A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 瑞维克·巴哈迪亚;夏立群;查德·彼得森;海彻姆·马萨德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了形成掺杂碳的氮化硅硬掩膜的方法。所述氮化硅硬掩膜包括掺杂碳的氮化硅层和未掺杂的氮化硅层。本发明提供了由包含碳源化合物、硅源化合物和氮源的化合物在RF功率的存在下沉积的掺杂碳的氮化硅层。本发明还提供了对氮化硅层进行UV后处理以提供氮化硅硬掩膜的方法。所述掺杂碳的氮化硅层和经UV后处理的氮化硅层具有硬掩膜层所期望的湿法蚀刻速率和干法蚀刻速率。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 添加 降低 氮化 蚀刻 速率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成掺杂碳的氮化硅硬掩膜的方法，包括：将碳源化合物引入处理室；将硅源化合物引入所述处理室；以及将氮源引入所述处理室；在所述处理室中，使所述碳源化合物、硅源化合物和氮源在RF功率的存在下反应，以将所述掺杂碳的氮化硅硬掩膜沉积在衬底上。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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