[发明专利]通过添加碳降低氮化硅蚀刻速率的方法

权利要求书

1.一种形成掺杂碳的氮化硅硬掩膜的方法，包括：

将碳源化合物引入处理室；

将硅源化合物引入所述处理室；以及

将氮源引入所述处理室；

在所述处理室中，使所述碳源化合物、硅源化合物和氮源在RF功率 的存在下反应，以将所述掺杂碳的氮化硅硬掩膜沉积在衬底上；

其中在第一流率下将所述碳源化合物引入所述处理室，在第二流率下 将所述硅源化合物引入所述处理室，并且所述第二流率与所述第一流率之 比为约50∶1～约1∶1。

2.如权利要求1的方法，其中所述硅源化合物包括硅烷。

3.如权利要求2的方法，其中所述氮源为NH₃。

4.如权利要求1的方法，其中所述硅源化合物为四乙氧基硅烷。

5.如权利要求1的方法，其中所述碳源化合物为三甲基硅烷。

6.如权利要求1的方法，其中所述碳源化合物为烃化合物或包含碳、 氮和氢的化合物。

7.如权利要求1的方法，其中所述衬底被保持在约480℃～约600℃ 的温度下。

8.如权利要求1的方法，还包括将所述掺杂碳的氮化硅硬掩膜图案 化，并将所述掺杂碳的氮化硅硬掩膜中的图案转移通过所述衬底的层。

9.如权利要求1的方法，其中所述第二流率与所述第一流率之比为约 10∶1～约1∶1。

10.一种形成掺杂碳的氮化硅硬掩膜的方法，包括：

在第一流率下将三甲基硅烷引入处理室；

在第二流率下将硅烷引入所述处理室，其中所述第二流率与所述第一 流率之比为约50∶1～约1∶1；

将NH₃引入所述处理室；以及

在所述处理室中，使所述三甲基硅烷、硅烷和NH₃在RF功率的存在 下反应，以将所述掺杂碳的氮化硅硬掩膜沉积在衬底上。

11.如权利要求10的方法，其中所述第一流率为约2sccm～约2000 sccm，所述第二流率为约20sccm～约2000sccm，并且在约100sccm～约 15000sccm的流率下将所述NH₃引入所述处理室。

12.如权利要求10的方法，其中提供的所述RF功率的功率水平为约 20W～约1600W。

13.如权利要求10的方法，其中所述衬底被保持在约480℃～约600 ℃的温度下。

14.如权利要求10的方法，还包括将所述掺杂碳的氮化硅硬掩膜图案 化，并将所述掺杂碳的氮化硅硬掩膜中的图案转移通过所述衬底的层。

15.一种形成氮化硅硬掩膜的方法，包括：

将硅源化合物引入处理室；

将氮源引入所述处理室；

在所述处理室中，使所述硅源化合物和氮源在RF功率的存在下反 应，以将氮化硅层沉积在衬底上；以及

通过对所述氮化硅层进行紫外线后处理以形成所述氮化硅硬掩膜，降 低所述氮化硅层的湿法蚀刻速率。

16.如权利要求15的方法，其中所述硅源化合物为硅烷和四乙氧基硅 烷，所述氮源为NH₃。

17.如权利要求15的方法，其中所述衬底被保持在约480℃～约600 ℃的温度下。

18.如权利要求15的方法，其中氮化硅层被紫外线后处理约1分钟～ 约60分钟。

19.如权利要求15的方法，还包括将有机硅化合物引入处理室，并将 所述有机硅化合物与所述硅源化合物和氮源反应。

20.如权利要求15的方法，还包括将所述氮化硅硬掩膜图案化，并将 所述氮化硅硬掩膜中的图案转移通过所述衬底的层。