[发明专利]一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜及其制作方法

摘要

本发明提供一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜及其制作方法，该透明导电膜是由Ni/ITO、Al/ITO或NiO/ITO金属组合中的一种制成，镍的厚度为5～30埃，铝的厚度为5～30埃，氧化镍的厚度为5～40埃，氧化铟锡的厚度为1000～3000埃，其制作方法是在P型氮化镓层上蒸镀镍、铝或氧化镍中的一种，对蒸镀有镍或铝的晶片进行热处理，接着在镍、铝、氧化镍的表面蒸镀氧化铟锡，最后对蒸镀有Ni/ITO、Al/ITO、NiO/ITO的晶片进行热处理。该透明导电膜在可见光范围内获得高的透光率，还能获得低的接触电阻率。

主权项

1.一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜是由镍/氧化铟锡、铝/氧化铟锡或氧化镍/氧化铟锡金属组合中的一种金属组合制成的，在氮化镓P型层上蒸镀的透明导电膜的第一层为镍、铝或氧化镍中的一种，第二层为氧化铟锡，所述镍的厚度大于等于5埃且小于等于30埃，所述铝的厚度大于等于5埃且小于等于30埃，所述氧化镍的厚度大于等于5埃且小于等于40埃，所述氧化铟锡的厚度大于等于1000埃且小于等于3000埃。