[发明专利]亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法无效
| 申请号： | 200710117614.8 | 申请日： | 2007-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101330009A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 于进勇;金智;程伟;刘新宇;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法，包括：在基片上涂一次光刻胶覆盖HBT发射极/HEMT栅；采用与HBT发射极/HEMT栅相同或相似的掩膜版进行光刻、曝光、显影，制作空气桥支撑；烘烤显影后的基片，使牺牲胶的边角圆滑并固化；在基片上涂二次光刻胶；刻蚀或腐蚀二次光刻胶，露出HBT的发射极/HEMT栅金属；烘烤刻蚀或腐蚀二次光刻胶的基片，使光刻胶固化；在基片上涂三次光刻胶，然后烘烤、曝光、显影得到桥面；在基片表面蒸发/溅射一层金属材料；剥离去除不需要的金属及所有光刻胶，形成空气桥。利用本发明，简化了制作工艺，制作的可控性好，保证了金属互联不受光刻条件的限制，减少了空气桥制作过程中对器件的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 微米 hbt 发射极 hemt 空气 引出 方法 | ||
【主权项】：
1、一种亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法，其特征在于，该方法包括：在基片上涂一次光刻胶覆盖HBT发射极/HEMT栅；采用与HBT发射极/HEMT栅相同或相似的掩膜版进行光刻、曝光、显影，制作空气桥支撑；烘烤显影后的基片，使牺牲胶的边角圆滑并固化；在基片上涂二次光刻胶；刻蚀或腐蚀二次光刻胶，露出HBT的发射极/HEMT栅金属；烘烤刻蚀或腐蚀二次光刻胶的基片，使光刻胶固化；在基片上涂三次光刻胶，然后烘烤、曝光、显影得到桥面；在基片表面蒸发/溅射一层金属材料；剥离去除不需要的金属及所有光刻胶，形成空气桥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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