[发明专利]亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法

权利要求书

1、一种亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法，其特征在于，该方法包括：

在基片上涂一次光刻胶覆盖HBT发射极/HEMT栅；

采用与HBT发射极/HEMT栅相同或相似的掩膜版进行光刻、曝光、显影，制作空气桥支撑；

烘烤显影后的基片，使牺牲胶的边角圆滑并固化；

在基片上涂二次光刻胶；

刻蚀或腐蚀二次光刻胶，露出HBT的发射极/HEMT栅金属；

烘烤刻蚀或腐蚀二次光刻胶的基片，使光刻胶固化；

在基片上涂三次光刻胶，然后烘烤、曝光、显影得到桥面；

在基片表面蒸发/溅射一层金属材料；

剥离去除不需要的金属及所有光刻胶，形成空气桥。

2、根据权利要求1所述的亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法，其特征在于，所述一次光刻胶、二次光刻胶或三次光刻胶为光敏的正胶或负胶、反转胶、PI胶、BCB；所述光敏的正胶或负胶为9918、9912或AZ5214。

3、根据权利要求1所述的亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法，其特征在于，所述在基片上涂一次光刻胶覆盖HBT发射极/HEMT栅的步骤之后进一步包括：在温度80至100℃下烘烤70至110秒。

4、根据权利要求1所述的亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法，其特征在于，所述采用与HBT发射极/HEMT栅相同或相似的掩膜版进行光刻、曝光、显影的步骤中，光刻采用G、H、I线光源的接触式曝光机或投影光刻机，显影采用将曝光后的基片置于显影液中进行。

5、根据权利要求1所述的亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法，其特征在于，所述烘烤显影后的基片，使牺牲胶的边角圆滑并固化和烘烤刻蚀或腐蚀二次光刻胶的基片，使光刻胶固化的步骤中，烘烤采用烘箱或热板，将基片放入80～200摄氏度的烘箱中烘烤3～120分钟，或者将基片放在60～200摄氏度的热板上烘烤3～120分钟。

6、根据权利要求1所述的亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法，其特征在于，所述刻蚀或腐蚀二次光刻胶，露出HBT的发射极/HEMT栅金属的步骤中，刻蚀或腐蚀二次光刻胶采用增加保护膜的方法，只对HBT发射极/HEMT栅金属及其周围的二次光刻胶进行刻蚀，刻蚀区域与HBT发射极/HEMT栅金属的尺寸相同或大于HBT发射极/HEMT栅金属的尺寸，露出全部或部分HBT发射极/HEMT栅金属。

7、根据权利要求1所述的亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法，其特征在于，所述在基片上涂三次光刻胶，然后烘烤、曝光、显影得到桥面的步骤包括：

在基片上涂敷一层一定厚度的光刻胶，在温度80至115℃下烘烤10至210秒，然后将涂敷有光刻胶的基片在G、H、I线光源的接触式曝光机或投影光刻机下曝光，将曝光后的基片置于显影液中显影，并将显影后的基片置于干法刻蚀机中处理残胶。

8、根据权利要求1所述的亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法，其特征在于，所述在基片表面蒸发/溅射一层金属材料的步骤包括：

将二次光刻胶光刻显影后的基片放入蒸发/溅射炉中，抽真空，蒸发/溅射一定厚度和组分的金属。

9、根据权利要求1所述的亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法，其特征在于，所述剥离去除不需要的金属及所有光刻胶，形成空气桥的步骤包括：

将蒸发/溅射一层金属材料后的基片浸泡在剥离液中一定时间，将剥离液加热至80～250摄氏度，然后依次用丙酮、乙醇和去离子水冲洗，使光刻胶脱落基片，形成空气桥；或者

用剥离液喷射基片使不需要的金属和光刻胶去掉后，用溶剂和去离子水冲洗基片，然后氮气吹干。

10、根据权利要求9所述的亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法，其特征在于，所述剥离液采用丙酮或N-甲基-2-吡咯烷酮，所述浸泡过程中进一步采用加热、制冷、超声、兆声方法帮助剥离金属和去除胶层。