[发明专利]具有表面带的存储器与其形成方法无效
| 申请号： | 200710107498.1 | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101308850A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张文岳 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L23/522;H01L21/8242;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种具有表面带的存储器，该存储器包括一沟渠电容(trench capacitor)、一自我对准的表面带(self－aligned surface strap)以及一金属氧化半导体晶体管，所述的沟渠电容位于一半导体基板中，所述的自我对准的表面带覆盖于所述的沟渠电容及其开口周围的主动区上，金属氧化半导体晶体管的源/漏极之一与所述的表面带相接，而另一则连接至一位线。本发明提供的具有表面带的存储器及其形成方法，可使动态随机存取存储元的尺寸压缩到6F2，此外，表面带的形成为自我对准，因此不需要额外的掩膜来形成表面带。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 表面 存储器 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有表面带的存储器，其特征在于，该存储器包括：一沟渠电容，位于一半导体基板中；一自我对准的表面带，覆盖于所述的沟渠电容及其开口周围的主动区上；以及一金属氧化半导体晶体管，其源/漏极之一与所述的表面带相接，而另一则连接至一位线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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