[发明专利]扩展第二位元操作裕度的存储器结构

摘要

本发明描述用于在具有多个存储单元的电荷陷入存储器中增大存储器操作裕度的方法和结构，前述多个存储单元中每一存储单元能够储存多个位元。在本发明的第一观点，描述在单一存储单元二位元的存储器中增大存储器操作裕度的第一方法，其通过施加正栅极电压+Vg将存储单元抹除为负电压准位来进行。或者，将负栅极电压－Vg施加到前述单一存储单元二位元的存储器以便将存储单元抹除为负电压准位。增大存储器操作裕度的第二方法是将存储单元抹除为低于初始临界电压准位的电压准位。这两种抹除方法可在程序化步骤之前(即，预程序化抹除操作)或在程序化步骤之后(即，后程序化抹除操作)实施。

主权项

1、一种用于增大存储器操作裕度的存储器元件，其特征在于，前述存储器元件具有左位元和右位元，前述存储器元件包括：通道区，其配置在漏极区与源极区之间，前述通道区具有通道长度；电荷陷入结构，其在前述通道区上且具有与前述通道区的前述通道长度对准的长度；以及导电层，其在前述电荷陷入结构上且具有与前述通道区的前述通道长度对准的长度，其中，前述存储器元件被抹除为负的临界电压准位。