[发明专利]具高效率发光效果的发光二极管封装方法及其封装结构有效
申请号: | 200710106136.0 | 申请日: | 2007-05-24 |
公开(公告)号: | CN101312133A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 汪秉龙;庄峰辉;吴文逵 | 申请(专利权)人: | 宏齐科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/00;H01L25/075;H01L23/488;H01L23/28 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种发光二极管封装结构,其包括:一基板单元(substrateunit)、一发光单元(light-emitting unit)、及一封装胶体单元(package colloidunit)。其中,该基板单元具有一基板本体(substrate body)、及分别形成于该基板本体上的一正极导电轨迹(positive electrode trace)与一负极导电轨迹(negative electrode trace)。该发光单元具有多个设置于该基板本体上的发光二极管芯片(LED chip),其中每一个发光二极管芯片具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹的一正极端(positive electrode side)与一负极端(negative electrode side)。该封装胶体单元具有多个分别覆盖于该等发光二极管芯片上的封装胶体(package colloid)。 | ||
搜索关键词: | 高效率 发光 效果 发光二极管 封装 方法 及其 结构 | ||
【主权项】:
1.一种具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,包括下列步骤:提供一基板单元,其具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上的一正极导电轨迹与一负极导电轨迹;透过矩阵的方式,分别设置多个发光二极管芯片于该基板本体上,以形成多排纵向发光二极管芯片排(longitudinal LED chip row),其中每一个发光二极管芯片具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹的一正极端与一负极端;以及透过一第一模具单元,将多条条状封装胶体(stripped package colloid)纵向地分别覆盖在每一排纵向发光二极管芯片排上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造