[发明专利]处理气体导入机构和等离子体处理装置有效
| 申请号： | 200710105523.2 | 申请日： | 2004-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101106070A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 釜石贵之;岛村明典;森嶋雅人 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，它具备：产生等离子体的等离子体发生部；在内部收容被处理基板的腔室；设置在所述等离子体发生部和所述腔室之间，支撑所述等离子发生部并且装载在所述腔室上，将等离子体形成用的处理气体导入由所述等离子体发生部和所述腔室划成的处理空间的处理气体导入机构；和将所述处理气体导入机构和所述等离子体发生部相对所述腔室进行装拆的拆装机构。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 气体 导入 机构 等离子体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，它具备：产生等离子体的等离子体发生部；在内部收容被处理基板的腔室；设置在所述等离子体发生部和所述腔室之间，支撑所述等离子发生部并且装载在所述腔室上，将等离子体形成用的处理气体导入由所述等离子体发生部和所述腔室划成的处理空间的处理气体导入机构；和将所述处理气体导入机构和所述等离子体发生部相对所述腔室进行装拆的拆装机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
