[发明专利]非易失性存储元件及其操作方法有效
| 申请号： | 200710103217.5 | 申请日： | 2007-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101075643A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 郭明昌;吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一个非易失性存储元件，包含衬底及形成于衬底上的介质层。控制栅极与浮动栅极然后形成于介质层之上。且非易失性存储元件可以使用与目前的互补式金属氧化物场效应晶体管工艺兼容的单层多晶硅工艺来建构。此外，一个辅助栅极或是多个辅助栅极可分别形成于靠近以及介于控制栅极与浮动栅极之间。此辅助栅极可以用来形成反转扩散区域于衬底内。通过使用辅助栅极来形成反转扩散区域，可以缩小元件的整体尺寸，及增加元件密度。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 元件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储元件，包含：衬底；介质层，形成于该衬底之上；浮动栅极，形成于该介质层之上；控制栅极，形成于该介质层之上；第一辅助栅极，形成于该介质层之上靠近该浮动栅极；第二辅助栅极，形成于该介质层之上靠近该控制栅极；以及第三辅助栅极，形成于该介质层之上介于该浮动栅极与该控制栅极之间。
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