[发明专利]半导体架构及静态随机存取存储器存储单元有效
| 申请号： | 200710102693.5 | 申请日： | 2007-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101064188A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 王屏薇;米玉杰;廖宏仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种静态随机存取存储器(static random access memory，SRAM)存储单元，包括上拉MOS装置、下拉MOS装置、以及通栅MOS装置。上拉MOS装置具有第一驱动电流。下拉MOS装置耦接上拉MOS装置，且具有第二驱动电流。通栅MOS装置，耦接上拉MOS装置及下拉MOS装置，且具有第三驱动电流。第一驱动电流与第三驱动电流具有介于大约0.5至大约1之间的α比例，且第二驱动电流与第三驱动电流具有介于大约1.45与大约5之间的β比例。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 架构 静态 随机存取存储器 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种半导体架构，包括：静态随机存取存储器存储单元，包括：上拉MOS装置，具有第一驱动电流；下拉MOS装置，耦接该上拉MOS装置，且具有第二驱动电流；以及通栅MOS装置，耦接该上拉MOS装置及该下拉MOS装置，且具有第三驱动电流；其中，该第一驱动电流与该第三驱动电流具有介于大约0.5至大约1之间的α比例，且该第二驱动电流与该第三驱动电流具有介于大约1.45与大约5之间的β比例。
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