[发明专利]双重金属镶嵌结构的制造方法有效
申请号: | 200710102569.9 | 申请日: | 2007-05-16 |
公开(公告)号: | CN101308808A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | 张光晔;马宏 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种双重金属镶嵌结构的制造方法。此方法是在已形成导体层与衬层的基底上依序形成介电层与金属硬掩模层,并将其图案化形成裸露出衬层的介电层窗开口。接着,在介电层窗开口中填入沟填材料层,其高度介于介电层窗开口的深度的1/4至1/2之间。之后,在金属硬掩模层与介电层中形成沟槽。然后,移除沟填材料层,再以金属硬掩模层为掩模,蚀刻去除介电层窗开口所裸露的衬层。其后于介电层窗开口与沟槽中形成金属层,再去除金属硬掩模层。 | ||
搜索关键词: | 双重 金属 镶嵌 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种双重金属镶嵌结构的制造方法,包括:提供基底,该基底上已形成导体层,且该导体层上已覆盖有衬层;在该衬层上形成介电层;在该介电层上形成金属硬掩模层;图案化该金属硬掩模层与该介电层,以在该介电层中形成介电层窗开口,裸露出该衬层;在该介电层窗开口中填入沟填材料层,该沟填材料层的高度是该介电层窗开口的高度的1/4至1/2;图案化该金属硬掩模层与该介电层,以形成沟槽,该沟槽与该介电层窗开口连通;移除该沟填材料层;以该金属硬掩模层为掩模,蚀刻去除该介电层窗开口所裸露的该衬层;在该介电层窗开口以及该沟槽中形成金属层;以及去除该金属硬掩模层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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