[发明专利]双重金属镶嵌结构的制造方法

权利要求书

1.一种双重金属镶嵌结构的制造方法，包括：

提供基底，该基底上已形成导体层，且该导体层上已覆盖有衬层；

在该衬层上形成介电层；

在该介电层上形成金属硬掩模层；

图案化该金属硬掩模层与该介电层，以在该介电层中形成介电层窗开 口，裸露出该衬层；

在该介电层窗开口中填入沟填材料层，该沟填材料层的高度是该介电层 窗开口的高度的1/4至1/2；

图案化该金属硬掩模层与该介电层，以形成沟槽，该沟槽与该介电层窗 开口连通；

移除该沟填材料层；

以该金属硬掩模层为掩模，蚀刻去除该介电层窗开口所裸露的该衬层；

在该介电层窗开口以及该沟槽中形成金属层；以及

去除该金属硬掩模层。

2.如权利要求1所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其中该沟填材料 层包括非感光型聚合物或感光型聚合物。

3.如权利要求1所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其中该沟填材料 层的形成方法包括：

在该介电层窗开口填入材料层，其高度大于预设高度，且该预设高度介 于该介电层窗开口高度的1/4至1/2；以及

进行回蚀刻，去除部分的该材料层，使留下的该材料层的高度为该预设 高度。

4.如权利要求1所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其中形成该沟槽 以及该移除该沟填材料层的步骤包括：

在该金属硬掩模层上形成图案化光刻胶层；

以该图案化光刻胶层为掩模，蚀刻该金属硬掩模层与该介电层，以形成 该沟槽；以及

同时移除该沟填材料层与该图案化光刻胶层。

5.如权利要求4所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其中在该蚀刻该 金属硬掩模层与该介电层的步骤中，在蚀刻该介电层时，该介电层对该沟填 材料层的蚀刻选择比为0.5至1.5之间。

6.如权利要求4所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其中同时移除该 沟填材料层与该图案化光刻胶层的方法包括氧等离子体灰化法。

7.如权利要求1所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其中该金属硬掩 模层的材料包括钛、钽、钨、氮化钛、氮化钽、氮化钨及其组合所组成的族 群。

8.一种双重金属镶嵌结构的制造方法，包括：

提供基底，该基底上已形成导体层，且该导体层上已覆盖有衬层；

在该衬层上形成介电层；

在该介电层上形成顶盖层、金属硬掩模层与抗反射层；

图案化该抗反射层、该金属硬掩模层、该顶盖层与该介电层，以在该介 电层中形成介电层窗开口，裸露出该衬层；

在该介电层窗开口中填入沟填材料层；

在该介电层中形成与该介电层窗开口连通的沟槽；

移除该沟填材料层；

以该抗反射层为掩模，蚀刻去除该介电层窗开口所裸露的该衬层；

在该介电层窗开口以及该沟槽中形成金属层；以及

去除该抗反射层与该金属硬掩模层。

9.如权利要求8所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其中该沟填材料 层包括非感光型聚合物或感光型聚合物。

10.如权利要求8所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其中该沟填材料 层的高度是该介电层窗开口的高度的1/4至1/2。

11.如权利要求8所述的双重金属镶嵌结构的制造方法，其中在该介电层 中形成该沟槽的步骤以及该移除该沟填材料层的步骤包括：

在该基底上形成图案化光刻胶层；以及

以该图案化光刻胶层为掩模，蚀刻该抗反射层、该金属硬掩模层、该顶 盖层与该介电层，以在该介电层中形成该沟槽；以及

同时移除该沟填材料层与该图案化光刻胶层。