[发明专利]存储器结构及其操作方法有效
| 申请号： | 200710102076.5 | 申请日： | 2007-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101308876A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/11;H01L27/115;G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器结构，包括基底、电荷捕捉层、阻挡层、导体层及两个掺杂区。电荷捕捉层配置于基底上。阻挡层配置于电荷捕捉层上。导体层配置于阻挡层上。掺杂区分别配置于导体层两侧的基底中。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器结构，其特征在于包括：一基底；一电荷捕捉层，配置于该基底上；一阻挡层，配置于该电荷捕捉层上；一导体层，配置于该阻挡层上；以及两掺杂区，分别配置于该导体层两侧的该基底中。
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