[发明专利]熔丝结构的操作方法无效
| 申请号： | 200710101273.5 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101060111A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 查尔斯·W.克伯格三世;斯蒂芬·J.·霍姆斯;古川俊治;戴维·V.·霍拉克;马克·C.·哈克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建峰 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种熔丝结构及其操作方法。该熔丝结构操作方法包括提供一种结构。该结构包括：(a)导电层，(b)悬空而不接触导电层的N个导电区。N是正整数且N大于1。 N个导电区电连接在一起。该结构操作方法还包括使N个导电区的第一导电区接触导电层，而不使其余的N－1个导电区接触导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种结构操作方法，包括：提供一种结构，包括(a)导电层，(b)在导电层上面的第一电介质区和第二电介质区，(c)位于第一和第二电介质区上的悬空而不接触导电层的N个导电区，其中N是正整数且N大于1其中N个导电区电连接到一起，其中N个导电区的N个导电区段具有不同的长度，其中N个导电区段不与第一和第二电介质区以及导电层直接物理接触；以及使N个导电区段的第一导电区段接触导电层，而不使其余的N-1个导电区段接触导电层，其中第一导电区段是N个导电区段中的最长导电区段。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710101273.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
