[发明专利]形成相变材料层的方法及使用其形成的相变存储器件无效
| 申请号： | 200710101022.7 | 申请日： | 2007-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101106173A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 赵性来;李忠满;李琎一;林尚郁;朴惠英;朴瑛琳 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/82;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种形成相变材料层的方法，包括制备具有绝缘体和导体的衬底，将该衬底装载到处理室中，注入淀积气体到该处理室中，以在该导体的露出表面上有选择地形成相变材料层，以及从处理室卸载该衬底，其中该处理室中的淀积气体的寿命短于淀积气体通过热能起反应的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 相变 材料 方法 使用 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种形成相变材料层的方法，包括：制备具有绝缘体和导体的衬底；将该衬底装载到处理室中；注入淀积气体到该处理室中，以在导体的露出表面上有选择地形成相变材料层；以及从该处理室卸载衬底，其中该处理室中的淀积气体的寿命短于该淀积气体通过热能起反应的时间。
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