[发明专利]图像感应元件及其系统芯片半导体结构

摘要

本发明有关于一种图像感应元件及其系统芯片半导体结构，其中该图像感应元件的基底具有光感应区于其内和/或其上；互连线结构在基底上方，并包含多条金属线设于多个金属层间介电(IMD)层内。至少一个IMD层微透镜设于至少一IMD层内，并位于光感应区上方。在IMD层之间优选设置阻挡层，且IMD层微透镜和蚀刻停止层的折射率大于IMD层的折射率。在金属线上优选设置覆盖层，特别是当金属线包含铜时。上层微透镜可设置于互连线结构之上。本发明对于密集的像素区和/或高度整合的嵌入式结构(例如三层以上结构)无HDP间隙填充问题，并且不需额外的步骤去移除在光感应区上方的阻挡层。

主权项

1.一种图像感应元件，包括：基底，具有光感应区；互连线结构，设置于该基底上方，该互连线结构包含多条金属线设于多个金属层间介电层内；以及至少一个金属层间介电层微透镜，设于至少一金属层间介电层内，且位于该光感应区上方。