[发明专利]一种CMOS图像传感器的有源像素的制造方法

摘要

本发明提供了一种CMOS图像传感器的有源像素的制造方法，包括：步骤1，在衬底上形成硅薄膜，在硅薄膜上形成场区和P阱和/或N阱，在硅薄膜上方形成栅氧化层，在栅氧化层上沉积多晶硅，形成转移晶体管或重置晶体管的栅电极；步骤2，覆盖光阻膜，暴露出需要植入N型杂质的区域，植入1层或1层以上的N型杂质后去除剩余光阻膜；步骤3，在多晶硅栅电极侧壁形成侧壁电介质，而后再覆盖光阻膜，暴露出需要植入P型杂质的区域，以预定的合适角度植入P型杂质后去除剩余光阻膜，得到PINNED型光电二极管。本发明降低了有源像素的随机噪声，提高了光的吸收效率，节约了一道光刻工艺步骤和光罩掩膜板。

主权项

1.一种互补式金属氧化物半导体图像传感器的有源像素的制造方法，其特征是包括以下步骤：步骤1，在衬底上形成硅薄膜，在硅薄膜上形成场区，P阱和/或N阱，在硅薄膜上方形成栅氧化层，在栅氧化层上沉积多晶硅，形成转移晶体管或重置晶体管的栅电极；步骤2，覆盖光阻膜，暴露出二极管需要植入N型杂质的区域，植入1层或1层以上的N型杂质后去除剩余光阻膜；步骤3，在多晶硅的侧壁形成侧壁电介质，而后再覆盖光阻膜，暴露出二极管需要植入P型杂质的区域，以预定的合适角度植入P型杂质后去除剩余光阻膜，得到铰接型光电二极管。