[发明专利]半导体存储装置、以及其读取方法和读取电路无效

专利信息
申请号: 200710096988.6 申请日: 2007-04-26
公开(公告)号: CN101101785A 公开(公告)日: 2008-01-09
发明(设计)人: 森俊树 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11C7/22 分类号: G11C7/22;G11C7/06;G11C17/10;G11C16/26
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 徐金国;梁挥
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在用于对读取周期中读取位线上的剩余电荷放电的半导体存储器装置中,位线在除读取操作期间以外的全部时间均处于复位状态。当选择并且连接到用来读取的读取电路时,取消位线的复位状态并且通过所选的位线读取存储在所选存储器单元中的信息。在完成存储器单元读取后,所选位线与所述读取电路之间断开连接并复位,从而在下一周期读取操作以前完成读取位线中的剩余电荷放电。这样确保在下一读取周期的读取决定操作期间,所选的位线电势不会随着前一读取周期的位线剩余电荷放电而改变。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 及其 读取 方法 电路
【主权项】:
1、一种用于半导体存储器装置的读取方法,所述半导体存储器装置包括多条字线、多条位线以及位于多条字线和多条位线的各交叉部分之间的存储器单元,所述位线除读取操作期间以外的全部时间均处于复位状态,该方法包括:仅在选择用于读取的位线以及将所述位线连接到读取电路期间取消位线的复位状态;通过所选的位线读取存储在所选存储器单元中的信息;以及断开所选位线与所述读取电路之间的连接并在完成所选存储器单元的读取后复位所选位线。
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