[发明专利]硅片上的曝光对准标记无效
申请号: | 200710094287.9 | 申请日: | 2007-11-27 |
公开(公告)号: | CN101446766A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 陈华伦;罗啸;陈雄斌;熊涛;陈瑜 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L23/544 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅片上的曝光对准标记,用于曝光前的搜索对准步骤中,包括线状突起或沟槽,其明显特征是垂直于硅片切割道方向放置。本发明的对准标记一方面标记线之间的间距可以设置比较大,另一方面标记线在长度方向上可以一直延伸到切割道的边缘,有效地减少了当硅片切割道缩小时硅片曝光对准中发生错误的几率。 | ||
搜索关键词: | 硅片 曝光 对准 标记 | ||
【主权项】:
1、一种硅片上的曝光对准标记,用于曝光前的搜索对准步骤中,所述曝光对准标记包括线状突起或沟槽,其特征在于:所述线状突起或沟槽垂直于切割道排列。
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