[发明专利]半导体存储装置无效

专利信息
申请号: 200710093607.9 申请日: 1997-03-01
公开(公告)号: CN101042928A 公开(公告)日: 2007-09-26
发明(设计)人: 市村彻;冲本裕美;林越正纪;飞田洋一 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: G11C8/08 分类号: G11C8/08;G11C8/10;G11C29/00;G06F11/20
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘宗杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体存储装置,其特征在于具有被配置在多个位线和多个字线的交点上的存储器单元的存储器单元阵列;选择上述字线的行解码器;选择上述位线的位线选择装置;用于选择被连接到这个位线选择装置上的列选择线并将选择信号提供给位线选择装置的列解码器;形成两层列选择线并在任意处连接两层的列选择线间。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其特征在于包括具有被配置在多个位线和多个字线的交点上的存储器单元的存储器单元阵列;用于选择上述字线的行解码器;选择上述位线的位线选择装置;用于选择被连接到这个位线选择装置上的列选择线并将选择信号提供给位线选择装置的列解码器;以及配置在一端被连接到接地电位的高电阻和上述列选择线之间并根据激活列解码器的控制信号而导通的晶体管。
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