[发明专利]具有在金属氧化物介质层中的电荷存储纳米晶体的集成电路器件栅结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200710092027.8 | 申请日： | 2007-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN101154575A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 崔三宗;曹圭徹;崔秀烈;金勇权;朴永秀;印璨国;朴海珍;金相植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/3115;H01L21/336;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 形成用于集成电路存储器件的栅结构的方法包括：在集成电路衬底上形成金属氧化物介质层。将从元素周期表的4族选择的且具有小于大约0.5厘米每秒(cm2/s)的热扩散率的元素的离子注入到该介质层中，以在介质层中形成电荷存储区，隧道介质层在该电荷存储区下，而帽盖介质层在该电荷存储区之上。对包括该金属氧化物介质层的衬底热处理，以在该电荷存储区中形成多个离散的电荷存储纳米晶体。在该介质层上形成栅电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 氧化物 介质 中的 电荷 存储 纳米 晶体 集成电路 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成用于集成电路存储器件的栅结构的方法，包括：在集成电路衬底上形成金属氧化物介质层；将从元素周期表的4族选择的且具有小于大约0.5厘米每秒(cm2/s)的热扩散率的元素的离子注入到该介质层中，以在介质层中形成电荷存储区，隧道介质层在该电荷存储区下，而帽盖介质层在该电荷存储区之上；对包括该金属氧化物介质层的衬底进行热处理，以在该电荷存储区中形成多个离散的电荷存储纳米晶体；以及在该介质层上形成栅电极层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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