[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710090457.6 | 申请日： | 2007-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101064343A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;杨海宁;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括(a)半导体层、(b)栅极电介质区域和(c)栅极电极区域。栅极电极区域与半导体层电绝缘。半导体层包括沟道区域、第一和第二源极/漏极区域。沟道区域设置于第一与第二源极/漏极区域之间、并且直接地在栅极电极区域之下而与栅极电极区域电绝缘。该半导体结构还包括(d)第一和第二导电区域以及(e)第一和第二接触区域。第一导电区域和第一源极/漏极区域在第一和第二公共表面处相互直接物理接触。第一和第二公共表面不共面。第一接触区域与第一和第二公共表面重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：(a)半导体层；(b)在所述半导体层的顶部上的栅极电介质区域；(c)在所述栅极电介质区域的顶部上的栅极电极区域，其中所述栅极电极区域通过所述栅极电介质区域与所述半导体层电绝缘，其中所述半导体层包括沟道区域、第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，以及其中所述沟道区域设置于所述第一与第二源极/漏极区域之间、并且直接地在所述栅极电极区域之下而且通过所述栅极电介质区域与所述栅极电极区域电绝缘；(d)分别地在所述第一和第二源极/漏极区域的顶部上的第一导电区域和第二导电区域；以及(e)分别地在所述第一和第二导电区域的顶部上并且电耦合到所述第一和第二导电区域的第一接触区域和第二接触区域；其中所述第一导电区域和所述第一源极/漏极区域在第一公共表面和第二公共表面处相互直接物理接触，其中所述第一和第二公共表面不共面，以及其中所述第一接触区域与所述第一和第二公共表面重叠。
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