[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶体管，并且更具体地涉及具有V形源极/漏极金属接触的半导体晶体管。

背景技术

在常规半导体晶体管中，在晶体管的源极/漏极区域上形成接触区域以便提供对晶体管的电接入。因此，需要减少接触区域与晶体管的源极/漏极区域之间的电阻。

发明内容

本发明提供一种半导体结构，包括：(a)半导体层；(b)在半导体层的顶部上的栅极电介质区域；(c)在栅极电介质区域的顶部上的栅极电极区域，其中栅极电极区域通过栅极电介质区域与半导体层电绝缘，其中半导体层包括沟道区域、第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，以及其中沟道区域设置于第一与第二源极/漏极区域之间、并且直接地在栅极电极区域之下而且通过栅极电介质区域与栅极电极区域电绝缘；(d)分别地在第一和第二源极/漏极区域的顶部上的第一导电区域和第二导电区域；以及(e)分别地在第一和第二导电区域的顶部上并且电耦合到第一和第二导电区域的第一接触区域和第二接触区域；其中第一导电区域和第一源极/漏极区域在第一公共表面和第二公共表面处相互直接物理接触，其中第一和第二公共表面不共面，以及其中第一接触区域与第一和第二公共表面重叠。其中第一公共表面在(100)、(111)或者(110)结晶平面中，以及其中第二公共表面在(110)或者(111)结晶平面中。

本发明提供一种半导体制造方法，包括：提供半导体结构，该半导体结构包括(a)半导体层、(b)在半导体层的顶部上的栅极电介质区域、(c)在栅极电介质区域的顶部上的栅极电极区域，其中栅极电极区域通过栅极电介质区域与半导体层电绝缘；去除半导体层的第一部分和第二部分；在所述去除半导体层的第一和第二部分之后，在半导体层中直接地分别在去除的第一和第二部分之下形成第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，其中半导体层包括沟道区域，以及其中沟道区域设置于第一与第二源极/漏极区域之间、并且直接地在栅极电极区域之下而且通过栅极电介质区域与栅极电极区域电绝缘；在执行所述形成第一和第二源极/漏极区域之后，分别地在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域的顶部上形成第一导电区域和第二导电区域，其中第一导电区域和第一源极/漏极区域在第一公共表面和第二公共表面处相互直接物理接触，以及其中第一和第二公共表面不共面；以及在执行所述形成第一和第二导电区域之后，分别地形成在第一和第二导电区域的顶部上并且电耦合到第一和第二导电区域的第一接触区域和第二接触区域，其中第一接触区域与第一和第二公共表面重叠。其中第一公共表面在(100)、(111)或者(110)结晶平面中，以及其中第二公共表面在(110)或者(111)结晶平面中。

本发明提供一种半导体结构，包括：(a)半导体层；(b)在半导体层的顶部上的第一栅极电介质区域和第二栅极电介质区域；(c)在第一栅极电介质区域的顶部上的第一栅极电极区域，其中第一栅极电极区域通过第一栅极电介质区域与半导体层电绝缘，其中半导体层包括第一沟道区域、第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，以及其中第一沟道区域设置于第一与第二源极/漏极区域之间、并且直接地在第一栅极电极区域之下而且通过第一栅极电介质区域与第一栅极电极区域电绝缘；(d)在第二栅极电介质区域的顶部上的第二栅极电极区域，其中第二栅极电极区域通过第二栅极电介质区域与半导体层电绝缘，其中半导体层还包括第二沟道区域和第三源极/漏极区域，以及其中第二沟道区域设置于第二与第三源极/漏极区域之间、并且直接地在第二栅极电极区域之下而且通过第二栅极电介质区域与第二栅极电极区域电绝缘；(e)分别地在第一、第二和第三源极/漏极区域的顶部上的第一导电区域、第二导电区域和第三导电区域；以及(f)分别地在第一、第二和第三导电区域的顶部上并且电耦合到第一、第二和第三导电区域的第一接触区域、第二接触区域和第三接触区域；其中第二导电区域和第二源极/漏极区域在第一公共表面和第二公共表面处相互直接物理接触，其中第一和第二公共表面不共面，以及其中第二接触区域与第一和第二公共表面重叠。其中第一公共表面在(100)、(111)或者(110)结晶平面中，以及其中第二公共表面在(110)或者(111)结晶平面中。

本发明提供一种半导体晶体管结构(及其形成方法)，其中减少了接触区域与半导体晶体管结构的源极/漏极区域之间的电阻。

附图说明

图1A-图11B示出了用来图示根据本发明的实施例用于形成半导体结构的第一制造工艺的截面视图。