[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

(a)半导体层；

(b)在所述半导体层的顶部上的栅极电介质区域；

(c)在所述栅极电介质区域的顶部上的栅极电极区域，

其中所述栅极电极区域通过所述栅极电介质区域与所述半导体层电绝缘，

其中所述半导体层包括沟道区域、第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，以及

其中所述沟道区域设置于所述第一与第二源极/漏极区域之间、并且直接地在所述栅极电极区域之下而且通过所述栅极电介质区域与所述栅极电极区域电绝缘；

(d)分别地在所述第一和第二源极/漏极区域的顶部上的第一导电区域和第二导电区域；以及

(e)分别地在所述第一和第二导电区域的顶部上并且电耦合到所述第一和第二导电区域的第一接触区域和第二接触区域；

其中所述第一导电区域和所述第一源极/漏极区域在第一公共表面和第二公共表面处相互直接物理接触，

其中所述第一和第二公共表面不共面，以及

其中所述第一接触区域与所述第一和第二公共表面重叠，

其中所述第一公共表面在(100)、(111)或者(110)结晶平面中，以及

其中所述第二公共表面在(110)或者(111)结晶平面中。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，

其中所述第二导电区域和所述第二源极/漏极区域在第三公共表面和第四公共表面处相互直接物理接触，

其中所述第三和第四公共表面不共面，以及

其中所述第二接触区域与所述第三和第四公共表面重叠。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一和第二接触区域包括金属。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括第一衬垫区域和第二衬垫区域，

其中所述第一衬垫区域被夹入所述第一导电区域与所述第一接触区域之间、并且与所述第一导电区域和所述第一接触区域直接物理接触，以及

其中所述第二衬垫区域被夹入所述第二导电区域与所述第二接触区域之间、并且与所述第二导电区域和所述第二接触区域直接物理接触。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中所述第一和第二衬垫区域包括氮化钛。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一公共表面与所述第二公共表面成70°、90°、125°、135°或者145°的角度。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，

其中所述第一公共表面与所述第二公共表面成约125°的角度，以及

其中所述第一和第二公共表面分别地在(100)和(111)结晶平面中。

8.一种半导体制造方法，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括(a)半导体层、(b)在所述半导体层的顶部上的栅极电介质区域、(c)在所述栅极电介质区域的顶部上的栅极电极区域，

其中所述栅极电极区域通过所述栅极电介质区域与所述半导体层电绝缘；

去除所述半导体层的第一部分和第二部分；

在所述去除所述半导体层的所述第一和第二部分之后，在所述半导体层中直接地分别在所述去除的第一和第二部分之下形成第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，

其中所述半导体层包括沟道区域，以及

其中所述沟道区域设置于所述第一与第二源极/漏极区域之间、并且直接地在所述栅极电极区域之下而且通过所述栅极电介质区域与所述栅极电极区域电绝缘；

在执行所述形成所述第一和第二源极/漏极区域之后，分别地在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域的顶部上形成第一导电区域和第二导电区域，

其中所述第一导电区域和所述第一源极/漏极区域在第一公共表面和第二公共表面处相互直接物理接触，以及

其中所述第一和第二公共表面不共面；以及

在执行所述形成所述第一和第二导电区域之后，分别地形成在所述第一和第二导电区域的顶部上并且电耦合到所述第一和第二导电区域的第一接触区域和第二接触区域，

其中所述第一接触区域与所述第一和第二公共表面重叠，

其中所述第一公共表面在(100)、(111)或者(110)结晶平面中，以及

其中所述第二公共表面在(110)或者(111)结晶平面中。