[发明专利]基板载置台和基板处理装置有效
| 申请号： | 200710089462.5 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101047143A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 天野健次;田中善嗣 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/00;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种在对基板进行等离子体处理时，在与载置台本体的升降销的插通孔对应的位置难以产生处理不均匀的基板载置台。在等离子体处理中载置基板(G)的基板载置台(4)包括：载置台本体(4a)；和铅垂地插通载置台本体(4a)，用其前端支撑基板以使基板升降的升降销(30)，升降销(30)的至少前端部为导电性的，并且，升降销(30)能够位于在等离子体处理时退避至载置台本体(4a)内的退避位置、和从载置台本体突出以支撑基板的支撑位置，当位于退避位置时，进行调整，使得其前端的高度位置为距离基板(G)的背面70～130μm的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 基板载置台 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板载置台，其为在对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置的处理容器内载置基板的基板载置台，其特征在于，包括：载置台本体；和铅垂地插通所述载置台本体，以相对于所述载置台本体的表面突出没入的方式自由升降地设置，用其前端支撑基板以使所述基板升降的多个升降销，所述升降销的至少前端部为导电性的，并且，所述升降销能够位于在等离子体处理时退避至所述载置台本体内的退避位置、和从所述载置台本体突出以支撑基板的支撑位置，当位于所述退避位置时，进行调整，使得其前端的高度位置为距离基板的背面70～130μm的下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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