[发明专利]发光装置及其制造方法和电子仪器无效
申请号: | 200710088489.2 | 申请日: | 2007-03-27 |
公开(公告)号: | CN101047201A | 公开(公告)日: | 2007-10-03 |
发明(设计)人: | 洼田岳彦 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/522;H01L23/532;H01L21/82;H01L21/768 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供发光装置机器制造方法。其中,元件阵列部A上沿X方向及Y方向排列多个发光元件E。各发光元件E包括:第一电极21及第二电极22和介于两电极间的发光层23。辅助布线27由电阻率低于第二电极22的材料形成,并且与各发光元件E的第二电极22连接。第i行与第(i+1)行之间的间隙S1比第(i+1)行与第(i+2)行之间的间隙S2宽。辅助步骤27在间隙S1内沿X方向延伸。在间隙S2内未形成辅助布线27。从而,可兼顾孔径比的提高和阴极的电压下降的抑制。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 及其 制造 方法 电子仪器 | ||
【主权项】:
1、一种发光装置,具备:元件阵列部,将发光层介于第一电极和第二电极之间的多个发光元件沿第一方向排列,所构成的多个元件组沿与上述第一方向交叉的第二方向并列;和辅助布线,由电阻率低于上述第二电极的材料所形成并且与上述各发光元件的第二电极电连接,上述辅助布线在上述多个元件组中的相互邻接的第一元件组和第二元件组之间的间隙内沿上述第一方向延伸,而在相对上述第二元件组与上述第一元件组相反侧邻接的第三元件组和上述第二元件组之间的间隙内不形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710088489.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双相乳化佐剂及其制造工艺
- 下一篇:新铁炮百合制种亲本组培快繁和杂交制种方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的