[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200710087951.7 | 申请日： | 2007-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101017822A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 海老原美香;理崎智光 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/092;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体器件，其能够通过在用作该半导体器件的静电保护元件的具有常规漏极结构的NMOS晶体管的N型源极和漏极扩散层之间局部地形成P型扩散层，来容易地设定保持电压和低触发电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：半导体衬底；设置在该半导体衬底中的P型阱区；设置在该P型阱区上并包围有源元件区的场氧化物膜；在设置在有源元件区上的栅氧化物膜上设置的栅电极；被该场氧化物膜和该栅电极包围的N型源区和漏区；P型区，其被使得与该N型漏区接触、形成在N型源区和漏区之间、并具有比P型阱区的浓度高的浓度；电介质夹层，用于使N型源区和漏区与形成在栅电极上的布线层电绝缘；以及接触孔，其被提供在电介质夹层中以将栅电极以及N型源区和漏区电连接至布线层。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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