[发明专利]固体摄像装置及其制造方法

摘要

在Si半导体基板的表面上顺次层叠形成光电二极管、用于读出或者传送蓄积于该光电二极管的电荷的栅电极层、包括SiO₂的第一层间绝缘膜、第一金属布线层、包括SiO₂的第二层间绝缘膜、第二金属布线层、含有氢的USG膜和含有氢的钝化膜。此外通过在400℃以上热处理该固体摄像装置，释放USG膜和钝化膜中的氢，与硅半导体表面的悬垂键结合从而降低暗电流。

主权项

1.一种固体摄像装置，其特征在于，包括：在半导体基板的表面上形成的光电二极管；在上述半导体基板的表面上隔着栅氧化膜形成的栅电极层；在形成了这些光电二极管以及栅电极层的上述Si半导体基板的表面上所形成的第一层间绝缘膜；形成在该第一层间绝缘膜的表面上的除上述光电二极管上部之外的部分上的第一金属布线层，在该第一金属布线层的表面上形成有势垒金属层；形成在该第一金属布线层上面的第二层间绝缘膜；形成在该第二层间绝缘膜的上面的除上述光电二极管上部之外的部分上的第二金属布线层；形成在该第二金属布线层的上面的含有氢的USG膜；和形成在该USG膜上的钝化膜。