[发明专利]磁阻元件和磁性存储器无效
| 申请号： | 200710085788.0 | 申请日： | 2007-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101093721A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 吉川将寿;甲斐正;永濑俊彦;岸达也;与田博明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁阻元件，包括：第一磁性参考层(11)，具有固定的磁化方向；磁性自由层(13)，可以通过提供自旋极化电子改变其磁化方向；第二磁性参考层(15)，具有固定的磁化方向；第一中间层(12)，提供在第一磁性参考层与磁性自由层之间；以及，第二中间层(14)，提供在磁性自由层与第二磁性参考层之间。磁性自由层(13)与第一磁性参考层(11)具有与平面内方向垂直或平行的易磁化方向。第一磁性参考层(11)与第二磁性参考层(15)具有相互垂直的易磁化方向。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 磁性 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻元件，其特征在于包括：第一磁性参考层，具有固定的磁化方向；磁性自由层，可以通过提供自旋极化电子改变其磁化方向；第二磁性参考层，具有固定的磁化方向；第一中间层，设置在所述第一磁性参考层与所述磁性自由层之间；以及第二中间层，设置在所述磁性自由层与所述第二磁性参考层之间，其中，所述磁性自由层与所述第一磁性参考层具有与平面内方向垂直或平行的易磁化方向，并且所述第一磁性参考层与所述第二磁性参考层具有相互垂直的易磁化方向。
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