[发明专利]磁阻元件和磁性存储器无效
| 申请号： | 200710085788.0 | 申请日： | 2007-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101093721A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 吉川将寿;甲斐正;永濑俊彦;岸达也;与田博明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 磁性 存储器 | ||
1.一种磁阻元件，其特征在于包括：
第一磁性参考层，具有固定的磁化方向；
磁性自由层，可以通过提供自旋极化电子改变其磁化方向；
第二磁性参考层，具有固定的磁化方向；
第一中间层，设置在所述第一磁性参考层与所述磁性自由层之间；以及
第二中间层，设置在所述磁性自由层与所述第二磁性参考层之间，
其中，所述磁性自由层与所述第一磁性参考层具有与平面内方向垂直或平行的易磁化方向，并且
所述第一磁性参考层与所述第二磁性参考层具有相互垂直的易磁化方向。
2.如权利要求1所述的元件，其特征在于：
所述磁性自由层与所述第一磁性参考层具有与平面内方向垂直的易磁化方向；并且
所述第二磁性参考层具有与平面内方向平行的易磁化方向。
3.如权利要求1所述的元件，其特征在于，所述第一磁性参考层、所述磁性自由层和所述第二磁性参考层具有与平面内方向平行的易磁化方向。
4.如权利要求1所述的元件，其特征在于，所述第一中间层由绝缘材料和半导体中的一种材料制成。
5.如权利要求1所述的元件，其特征在于，所述第二中间层由导体制成。
6.如权利要求1所述的元件，其特征在于：
所述磁性自由层包括按照顺序堆叠的第一磁性层、第二磁性层和第三磁性层；
所述第一磁性层被布置为与所述第一中间层接触；并且
所述第三磁性层被布置为与所述第二中间层接触。
7.如权利要求6所述的元件，其特征在于，所述第一磁性层与所述第三磁性层由铁磁材料制成。
8.如权利要求1所述的元件，其特征在于：
所述第一磁性参考层包括堆叠的第一磁性层和第二磁性层；
所述第一磁性层被布置为与所述第一中间层接触。
9.如权利要求8所述的元件，其特征在于，所述第一磁性层由铁磁材料制成。
10.如权利要求1所述的元件，其特征在于，所述第一磁性参考层包括按照顺序堆叠的第一磁性层、非磁性层和第二磁性层。
11.如权利要求10所述的元件，其特征在于，所述第一磁性层和所述第二磁性层的磁化方向被设定为相反的方向。
12.如权利要求1所述的元件，其特征在于，所述第二磁性参考层包括按照顺序堆叠的第一磁性层、非磁性层和第二磁性层。
13.如权利要求12所述的元件，其特征在于，所述第一磁性层和所述第二磁性层的磁化方向被设定为相反的方向。
14.如权利要求1所述的元件，其特征在于，所述磁性自由层包括按照顺序堆叠的第一磁性层、非磁性层和第二磁性层。
15.如权利要求14所述的元件，其特征在于，所述第一磁性层和所述第二磁性层的磁化方向被设定为相反的方向。
16.如权利要求1所述的元件，其特征在于，还包括反铁磁层，用于利用交换耦合力，固定所述第一磁性参考层的磁化方向。
17.如权利要求1所述的元件，其特征在于，还包括反铁磁层，用于利用交换耦合力，固定所述第二磁性参考层的磁化方向。
18.一种磁性存储器，包括存储单元，所述存储单元包括：
磁阻元件；以及
第一电极和第二电极，用于给所述磁阻元件提供电流，
所述磁阻元件的特征在于包括：
第一磁性参考层，具有固定的磁化方向；
磁性自由层，可以通过提供自旋极化电子改变其磁化方向；
第二磁性参考层，具有固定的磁化方向；
第一中间层，设置在所述第一磁性参考层与所述磁性自由层之间；以及
第二中间层，设置在所述磁性自由层与所述第二磁性参考层之间，
其中，所述磁性自由层与所述第一磁性参考层具有与平面内方向垂直或平行的易磁化方向，并且
所述第一磁性参考层与所述第二磁性参考层具有相互垂直的易磁化方向。
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