[发明专利]具有高填充系数像素的图像传感器及形成图像传感器的方法有效
| 申请号： | 200710085556.5 | 申请日： | 2007-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101038927A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李锡河;李德炯;慎宗哲;李康福 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图像传感器，包括：衬底中的光电转换元件的阵列，该光电转换元件被设置在分别在第一方向和第二方向中延伸的行和列中；衬底中的多个第一结隔离区，每个隔离公共行的相邻光电转换元件的侧部，以及衬底中的多个第二结隔离区，每个隔离公共列的相邻光电转换元件的侧部；以及衬底中的多个介质隔离区，每个隔离相邻光电转换元件的拐角部分。在一个实施例中，光电转换元件在第一方向上具有第一间隔，并在第二方向上具有第二间隔，其中对于公共行的光电转换元件来说该第一间隔基本上相同，并且其中对于公共列的光电转换元件来说该第二间隔基本上相同。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 填充 系数 像素 图像传感器 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：衬底中的光电转换元件的阵列，该光电转换元件被设置在分别在第一方向和第二方向中延伸的行和列中；衬底中的多个第一结隔离区，每个隔离公共行的相邻光电转换元件的侧部，以及衬底中的多个第二结隔离区，每个隔离公共列的相邻光电转换元件的侧部；以及衬底中的多个介质隔离区，每个隔离相邻光电转换元件的拐角部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710085556.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
