[发明专利]具有IGBT和二极管的半导体器件

摘要

一种半导体器件，包括：半导体衬底(1)；IGBT区(IGBTREGION)，其包括位于衬底(1)的第一表面上并提供沟道形成区的第一区(2)，以及位于衬底(1)的第二表面上并提供集电极的第二区(3)；二极管区(DIODE REGION)，其包括位于第一表面上并提供阳极或阴极的第三区(4)和位于第二表面上并提供阳极或阴极的第四区(5)；外围区(PERIPERY REGION)，其包括位于第一表面上的第五区(6，6b－6g)和位于第二表面上的第六区(7a、7b)。第一、第三和第五区(2、4、6、6B－6g)共同且电气耦合，并且第二、第四和第六区(3、5、7a、7b)共同并电气地相互耦合。

主权项

1、一种半导体器件，包括：半导体衬底(1)，其具有第一导电类型以及第一和第二表面；IGBT区(IGBT REGION)，其具有IGBT并设置在所述衬底(1)中；二极管区(DIODE REGION)，其具有二极管并设置在所述衬底(1)中；以及外围区(PERIPHERY REGION)，其设置在所述衬底(1)中，其中所述IGBT区(IGBT REGION)包括：第一半导体区(2)，其具有所述第二导电类型并设置在所述衬底(1)的所述第一表面的表面部分中，该第一半导体区(2)提供所述IGBT的沟道形成区；和第二半导体区(3)，其具有所述第二导电类型并设置在所述衬底(1)的所述第二表面的表面部分中，该第二半导体区(3)面对所述第一半导体区(2)并且提供所述IGBT的集电极，所述二极管区(DIODE REGION)包括：第三半导体区(4)，其具有所述第二导电类型并设置在所述衬底(1)的所述第一表面的表面部分中，该第三半导体区(4)提供所述二极管的阳极和阴极中的一个；和第四半导体区(5)，其具有所述第一导电类型并设置在所述衬底(1)的所述第二表面的表面部分中，该第四半导体区(5)面对所述第一半导体区(2)并且提供所述二极管的阳极和阴极中的另一个，所述外围区(PERIPHERY REGION)包括：第五半导体区(6、6b-6g)，其具有所述第二导电类型并设置在所述衬底(1)的所述第一表面的表面部分中；以及第六半导体区(7a、7b)，其具有所述第二导电类型并设置在所述衬底(1)的所述第二表面的表面部分中，该第六半导体区(7a、7b)面对所述第五半导体区(6、6b-6g)，所述第一、第三和第五半导体区(2、4、6、6b-6g)共同并电气地相互耦合，以及所述第二、第四和第六半导体区(3、5、7a、7b)共同并电气地相互耦合。