[发明专利]半导体纳米复合薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200710078087.4 | 申请日： | 2007-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101471392A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 娄文静;王晓波;郝京诚;陈淼 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/368 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体纳米复合薄膜的制备方法。本发明将可形成硫化镉纳米颗粒的分子前驱体溶于氧化钛溶胶，从而实现前驱体与氧化钛胶粒分子级别的均匀混合，将此溶胶再进行涂膜，进而进行热处理，在热处理过程中前驱体在氧化钛膜中原位形成硫化镉纳米颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 纳米 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于该方法包含以步骤：(a)配制前驱体溶液，所述的前驱体是指双烷基双硫代磷酸镉盐，溶液中的溶剂选自N，N-二甲基甲酰胺、丙酮、甲醇或乙醇；(b)将前驱体溶液与氧化钛溶胶混合均匀；(c)在基底表面涂膜；(d)将涂膜后的基材在200～800℃下进行热处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院兰州化学物理研究所，未经中国科学院兰州化学物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710078087.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光面板
- 下一篇：聚合物改性相稳定硝酸铵的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
