[发明专利]δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710065182.0 | 申请日： | 2007-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN101281941A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 魏鸿源;刘祥林;张攀峰;焦春美;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，包括：步骤1：将清洗好的衬底放入反应室中，将反应室抽至真空，升高温度进行烘烤，以获得清洁衬底；步骤2：向反应室中充入氮气，将反应室压强升至生长压强，将衬底温度控制到生长温度；步骤3：向反应室中通入锌源，氧源和氮源，在衬底上外延ZnO:N薄膜；步骤4：停止通入氧源，并继续通入锌源和氮源，在ZnO:N薄膜上外延氮化锌薄层；步骤5：再开启氧源，并继续通入锌源和氮源，在氮化锌薄层上继续外延ZnO:N薄膜；步骤6：重复步骤4、步骤5，直至生长的薄膜达到需要的厚度为止；步骤7：在氨气氛或者氮气氛下进行退火，完成P型氧化锌薄膜的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 制备 氧化锌 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将清洗好的衬底放入反应室中，将反应室抽至真空，升高温度进行烘烤，以获得清洁衬底；步骤2：向反应室中充入氮气，将反应室压强升至生长压强，将衬底温度控制到生长温度；步骤3：向反应室中通入锌源，氧源和氮源，在衬底上外延ZnO:N薄膜；步骤4：停止通入氧源，并继续通入锌源和氮源，在ZnO:N薄膜上外延氮化锌薄层；步骤5：再开启氧源，并继续通入锌源和氮源，在氮化锌薄层上继续外延ZnO:N薄膜；步骤6：重复步骤4、步骤5，直至生长的薄膜达到需要的厚度为止；步骤7：在氨气氛或者氮气氛下进行退火，完成P型氧化锌薄膜的制备。
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