[发明专利]碱土金属盐修饰纳米晶半导体光阳极和制备方法及其应用无效
| 申请号： | 200710056934.7 | 申请日： | 2007-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101022136A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 陈军;张莉;许炜;蔡锋石;陶占良;梁静;高峰 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48;H01L23/48;H01L21/28;H01G9/20;H01M14/00 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种碱土金属盐修饰的纳米晶半导体光阳极和制备方法及其在染料敏化太阳能电池中的应用，属于太阳能电池技术应用领域。本发明利用浸渍—烧结技术在纳米晶表面形成一层碱土金属盐的修饰层，再用丝网印刷的方法得到碱土金属盐修饰的纳米晶半导体膜电极。本发明不仅可以显著的提高光阳极的染料吸附能力以及光吸收能力，同时可以有效抑制光生电子与空穴的复合，提高了染料敏化太阳能电池的光电转换效率等性能。该法的原料廉价易得、工艺简单、易于控制，产品质量稳定，且工艺重复性好，可应用于太阳能电池、光催化、压电陶瓷、以及气敏材料等相关领域。 | ||
| 搜索关键词： | 碱土金属 修饰 纳米 半导体 阳极 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1、一种碱土金属盐类修饰的纳米晶半导体光阳极，其特征在于：它包括基材透明导电玻璃层，以及其上依次固结的碱土金属盐类修饰的TiO2纳米晶半导体薄膜层和光敏化剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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