[发明专利]以上电极作为保护层的CuxO电阻存储器及其制造方法

摘要

本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成的上电极作为保护层的Cu_xO电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铜互连工艺中形成于沟槽中的铜引线，在铜引线上方形成的第一介质层和在第一介质层中形成的孔洞，位于孔洞底部的铜氧化形成的Cu_xO存储介质，以自对准方式形成于所述的Cu_xO存储介质之上和所述的介质层孔洞之中的金属上电极。在制作所述的电阻存储器时，以自对准形成的金属上电极层作为Cu_xO存储介质的保护层，无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤，可避免制作过程中的工艺步骤导致存储器件电阻波动和不均匀，提高可靠性。

主权项

1.一种与铜互连工艺集成的CuxO电阻存储器，其特征在于包括下电极，为铜互连工艺中形成于沟槽中的铜引线；在所术铜引线上方形成的第一介质层和在第一介质层中形成的孔洞；位于所述孔洞底部的铜氧化形成的CuxO存储介质，1＜x≤2，以及以自对准方式形成于所述的CuxO存储介质之上和所述的介质层孔洞之中的金属上电极。