[发明专利]提高LDD掺杂层方块电阻的测量精度的方法及结构有效
| 申请号： | 200710044807.5 | 申请日： | 2007-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101364553A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高LDD掺杂层方块电阻的测量精度的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成具有第一掺杂离子的第一掺杂层和具有第二掺杂离子的第二掺杂层；所述第一掺杂层位于所述第二掺杂层下方，且与所述第二掺杂层接触；对具有第一掺杂层和第二掺杂层的半导体衬底执行退火工艺；退火后，测量所述第二掺杂层的方块电阻。本发明还提供一种提高LDD掺杂层方块电阻的测量精度的结构。本发明的方法可减小衬底对测量结果的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 ldd 掺杂 方块 电阻 测量 精度 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种提高LDD掺杂层方块电阻的测量精度的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成具有第一掺杂离子的第一掺杂层和具有第二掺杂离子的第二掺杂层；所述第一掺杂层位于所述第二掺杂层下方，且与所述第二掺杂层接触；对具有第一掺杂层和第二掺杂层的半导体衬底执行退火工艺；退火后，测量所述第二掺杂层的方块电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710044807.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种砼填充用轻质构件
- 下一篇：灌木树冠造型拷模
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
