[发明专利]半导体的清洗方法无效
| 申请号： | 200710043870.7 | 申请日： | 2007-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101350287A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 刘闯;罗登贵;程高龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;G03F7/30 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体的清洗方法，该清洗方法包括先提供一半导体晶圆衬底，于该半导体晶圆衬底上形成阱区，于该阱区上形成一二氧化硅绝缘层，于该二氧化硅绝缘层形成一光阻层，利用显影液对光阻层进行显影，最后清洗液以扫描方式对半导体晶圆上的显影液进行清洗。采用本发明的半导体清洗方法，在清洗过程中不会使晶圆中心积累过量静电，以至破坏二氧化硅绝缘层的抗电击穿能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体的清洗方法，该清洗方法包括以下步骤：提供一半导体晶圆衬底；于该半导体晶圆衬底上形成阱区；于该阱区上形成一二氧化硅绝缘层；于该二氧化硅绝缘层形成一光阻层；利用显影液对光阻层进行显影；清洗液以扫描方式对半导体晶圆上的显影液进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
